广西福彩快乐双彩玩法:PSMN041-80YL

發布時間:2019/6/5 | 15 次閱讀
類別 分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 -
包裝 ? 剪切帶(CT) ?
零件狀態 在售
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 80V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 25A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 41 毫歐 @ 5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 21.9nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 1108pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 64W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 LFPAK56,Power-SO8
封裝/外殼 SC-100,SOT-669